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Die hochreine Ozonherstellung für Halbleiter mit hochleistungsstarken Ozongeneratoren und Ozonmessgeräten in der Waferproduktion. Das in Wasser gelöste Oxidationsmittel zersetzt in hohen Konzentrationen selbst organische und metallische Verunreinigungen. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen!
Ozon zur Oxidation und Sterilisation in der Waferherstellung (SC)
Die Produktion der hochempfindlichen Siliziumplatten erfordert einen hohen Qualitätsstandard mit hochreinen Fertigungsprozessen. Zu Qualitätsverbesserung der Leiterplatinen werden die Wafer- Oberflächen gereinigt. Standardmäßig werden an dieser Stelle chemische Lösungen zur Flächenreinigung eingesetzt. Diese Sterilisationsverfahren haben sich jedoch als äußerst umweltschädlich und ineffizient. Stattdessen hat sich die Anwendung von Ozon im Produktionsprozess als optimale Alternative gegenüber den Standardmethoden stark bewährt gemacht. Neben dem geringen Chemikalienverbrauch sowie die damit verbundenen Kosten wird die Prozessleistung gesteigert. Mit dem Einsatz von Ozon werden insbesondere auftretende Substanzen im Oxidations- und Nassreinigungsprozess restlos gelöst. Organische und metallische Schadstoffe werden mit dem hohen Ozonanteil in der Wasserphase oxidiert. Jegliche Rückstände werden damit auf dem Wafer vermieden. Darüber hinaus wird bereits die Ozontechnik bei anorganischen Stoffen im festen Zustand angewendet. So wird Ozon für die Entfernung von Photoresist-Beschichtungen und die Oxidation von Silikon verwendet. Zum anderen findet die Ozonisierung bei der Aufbereitung von deionisierten Wasser (DI) statt, um das Auftreten von mikrobiologischen Kulturen zu bekämpfen. [1] [2] [3]
