{"id":173,"count":28,"description":"Oxidation und Reinigung von Siliziumwafern\n\nOxidations- und Reinigungsverfahren f\u00fcr die Waferherstellung - Die Anwendung von Ozon in der Halbleiterindustrie erfordert eine hohe Reinheit des Ozons. Die Sterilisationsf\u00e4higkeit von Ozon ist aufgrund seiner starken Oxidationskraft bekannt.\n\n\n\n\n\nOzon f\u00fcr Halbleiter.\nDer dreiatomige Sauerstoff wird f\u00fcr den Oxidations- und Reinigungsprozess, die Reduzierung des gesamten organischen Kohlenstoffs (TOC) im Sp\u00fclwasser, die Reinigung der Waferoberfl\u00e4che und die SiO 2 -Bildung verwendet.\n\n\n\n\n\nOzon wird in der Halbleiterindustrie zur Desinfektion, Reduzierung des gesamten organischen Kohlenstoffs (TOC) im Sp\u00fclwasser, Waferreinigung und SiO2-Bildung verwendet. Die Sterilisationsf\u00e4higkeit von Ozon ist aufgrund seiner starken Oxidationskraft bekannt und wird unter Anderem seit vielen Jahren zur Sterilisation von Trinkwasser eingesetzt. \nIn der Halbleiterindustrie wird die Sterilisationsf\u00e4higkeit zur Desinfektion von Prozesswasser genutzt, um die Bildung von Verunreinigungen auf Schl\u00e4uchen zu reduzieren und zur Desinfektion von Sp\u00fclwasser, um Defekte auf dem Wafer zu verhindern. Organische Verunreinigungen im Sp\u00fclwasser k\u00f6nnten auch einen Schleier \u00fcber der Waferoberfl\u00e4che verursachen, der den Wafer verunreinigt und zu Waferdefekten f\u00fchrt. \nDie F\u00e4higkeit von Ozon, diese organischen Verunreinigungen zu reduzieren, kann durch die Kombination von Ozon und UV-Licht, dem so genannten Advanced Oxidation Process (AOP), verbessert werden, bei dem Hydroxylradikale mit einem h\u00f6heren Oxidationspotential als Ozon allein gebildet werden.\n\n\n+ Wafer Oxidation\n&nbsp;\n<strong>\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0 + Beseitigung von organischem Material und Metallpartikel<\/strong>\n<strong>\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0 <\/strong>\n<strong>+ Nassreinigung \u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0<\/strong>\n<strong>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0<\/strong> + trockene Oberfl\u00e4chenreinigung\n&nbsp;\n<strong>\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u00a0 + Entfernung von Photo-Resist<\/strong>\n\n\nOzoneeinsatz im Halbleitersektor\n\nDie Hauptanwendung von Ozon in der Halbleiterindustrie ist die Nassreinigung in Kombination mit verd\u00fcnnter Flusss\u00e4ure (DHF). Die Hauptvorteile gegen\u00fcber dem traditionellen RCA Clean sind die Reduzierung des Verbrauchs gef\u00e4hrlicher Chemikalien und die Einsparung von deionisiertem (DI) Wasser durch viel k\u00fcrzere Sp\u00fclzeiten. \nDie wichtigsten Reinigungstechniken sind IMEC Clean, das Diluted Dynamic Clean (DDC) und das Ultra Clean Technology (UCT) \u2013 alle verwenden zun\u00e4chst eine Kombination aus DI-Wasser und Ozon (DI03) zur Entfernung von organischen Verunreinigungen und Edelmetallen. Die folgenden Schritte zum Entfernen von Partikeln, Metallen und der Oxidschicht sind unterschiedlich. Zum Beispiel wird bei der IMEC-Reinigung entionisiertes Wasser verwendet, das Fluss- und Salzs\u00e4ure enth\u00e4lt. Es wird eine hydrophobe H-stabilisierte Oberfl\u00e4che erhalten und falls gew\u00fcnscht nur mit DI-Wasser gesp\u00fclt. Wenn eine hydrophile Oberfl\u00e4che gew\u00fcnscht wird, wird DI03 mit HCL oder einer anderen Ozonmischung verwendet, um eine d\u00fcnne Oxidschicht nachwachsen zu lassen. \nEine Weiterentwicklung der auf DHF\/DI03 basierenden Nassreinigungstechnik ist die Single-Wafer Spin Cleaning (SCROD). DHF und DI03 werden abwechselnd auf einen rotierenden Wafer gespr\u00fcht, bis der Wafer den Reinheitsanforderungen entspricht. In diesem Fall k\u00f6nnen keine Verunreinigungen von anderen Wafern durch das Bad \u00fcbertragen werden. Ein \u00e4hnlicher Prozess, der nur DI03 verwendet, kann auch zum Entfernen von Photoresist verwendet werden.\n\n\n\n\nDI03 oxidiert den Resist direkt von der Waferoberfl\u00e4che und bildet Kohlendioxid und Wasser. Allerdings sollte der Prozess unter Druck ablaufen und die Ozonkonzentration m\u00f6glichst hoch sein. Eine Verbesserung der Ozonkonzentration an der Waferoberfl\u00e4che kann durch Einblasen von Ozondampf in die Prozesskammer erreicht werden. Ozon kann durch eine kontrollierte Wassergrenzschicht auf der Waferoberfl\u00e4che diffundieren, die durch die Rotation aufgebaut wird, was zu einer Oberfl\u00e4chenozonkonzentration und anschlie\u00dfenden Oxidationsraten f\u00fchrt, die signifikant h\u00f6her sind als das, was unter Verwendung von in Wasser gel\u00f6stem Ozon erreicht werden kann.\n\nAlle diese Anwendungen von Ozon in der Halbleiterindustrie erfordern eine hohe Ozonreinheit. \u00dcblicherweise wird Ozon durch eine Hochspannungs-Volumenentladung erzeugt, bei der die Metallelektrode mit dem Pr\u00fcfgas in Kontakt steht. Daher gelangt Metall in das Ozongas und kann die Waferoberfl\u00e4che kontaminieren. Die Hochspannungselektrode eines Oberfl\u00e4chenentladungs-Ozongenerators besteht im Allgemeinen aus Wolfram, das widerstandsf\u00e4higer ist als der Edelstahl, der im Allgemeinen in Volumenentladungsgeneratoren verwendet wird. \nAufgrund der hohen Energiedichte an den Elektrodenecken wird das Dielektrikum jedoch im Laufe der Zeit abgetragen, und es sollten Partikelfilter installiert werden, bevor das Ozon verwendet wird, um eine Kontamination der Wafer zu vermeiden. Um ein Verschmutzen der Elektroden und ein Absinken der Ozonkapazit\u00e4t zu vermeiden, m\u00fcssen in beiden F\u00e4llen zus\u00e4tzliche Gase zugegeben werden, die im Prozess verbleiben und mit dem \u00fcbersch\u00fcssigen Ozon entgast werden m\u00fcssen. \nL\u00f6sungen (unter anderem von ANSEROS) existieren heute, um die Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erf\u00fcllen. Ozon kann in sauberen Quarzmodulen ber\u00fchrungslos durch die Metallelektroden erzeugt werden, daher k\u00f6nnen keine Metalle die Waferoberfl\u00e4chen kontaminieren. Die Ozonkapazit\u00e4t bleibt mit h\u00f6chster Zuverl\u00e4ssigkeit konstant.\n\n\n\n\n\n\nOzon-Nassreinigungsverfahren mit verd\u00fcnnter Flusss\u00e4ure\n\n+ Reduzierung des Verbrauchs gef\u00e4hrlicher Chemikalien \n+ Anwendung im Single-Wafer-Spin-Cleaning (SCROD) \n+ Einsparung von VE-Wasser + K\u00fcrzere Sp\u00fclzeiten\n\n\nOzonanwendung bei der Entfernung von Photoresist\n\n\n+ Bildung von Kohlendioxid und Wasser \n+ Hohe Ozonkonzentration und -druck \n+ Signifikant hohe Oxidationsrate an der Oberfl\u00e4che\n\n\n\n\n\n\nOzon in HCl-Anwendung\n\n\n+ Metallische Verunreinigungen werden von der Siliziumoberfl\u00e4che entfernt \n+ Reinigungsprozess bei niedriger Temperatur \n+ Niedriges Rauheitsniveau der Oberfl\u00e4chen \n+ Kurze Reaktionszeit statt durch Ozon erzeugte HCl-Radikale\n\n\n\n\n\n\n\nAnwendung von Ozon in deionisiertem Wasser (DI)\n\n\n+ Starkes Oxidationsmittel zur Entfernung organischer Verunreinigungen \n+ Konstante Ozonkonzentration \n+ H\u00f6heres Standardpotential als Wasserstoffperoxide \n+ Weniger Arbeitstemperatur \n+ Weniger Energie- und Materialverbrauch \n+ Reduzierter chemischer Abfall \n+ Keine Reaktion mit Metallen oder Partikeln auf Oberfl\u00e4chen \n+ Ultraniedrige \u00c4tzrate der Waferoberfl\u00e4chen \n+ Kompatibel und verwendbar mit HF- und HCl-Chemikalien zur Entfernung metallischer und ionischer Verunreinigungen von der Oberfl\u00e4che\n\n\n\n\n\n\nOzongaskabinen f\u00fcr die Wafersterilisation\n\n\nDie sterile Verarbeitung ist ein wichtiger Faktor bei der Herstellung von Halbleitern. Das Reinigen von Waferoberfl\u00e4chen in Ozonkarbinetten ist ein effizienter Schritt f\u00fcr eine saubere Waferverarbeitung. Bitte fragen Sie uns nach unseren Sterilkammern!\n\n\n\n\n\n\nOxidation und Reinigung von Siliziumwafern\n\nUnsere L\u00f6sungen f\u00fcr die Halbleiter- und Solarindustrie\n\n","link":"https:\/\/www.anseros.de\/de\/ozonanwendungen\/oxidation-und-reinigung-von-siliziumwafern\/","name":"Oxidation und Reinigung von Siliziumwafern","slug":"oxidation-und-reinigung-von-siliziumwafern","taxonomy":"application","parent":139,"meta":[],"acf":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v27.1.1 - https:\/\/yoast.com\/product\/yoast-seo-wordpress\/ -->\n<title>Oxidation und Reinigung von Siliziumwafern mit Ozon-Technologie<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Oxidations- und Reinigungsverfahren f\u00fcr die Waferherstellung - Die Anwendung von Ozon in der Halbleiterindustrie erfordert eine hohe Reinheit des Ozons.\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.anseros.de\/de\/ozonanwendungen\/oxidation-und-reinigung-von-siliziumwafern\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"de_DE\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Oxidation und Reinigung von Siliziumwafern mit Ozon-Technologie\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Oxidations- und Reinigungsverfahren f\u00fcr die Waferherstellung - 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